不得不看,半導體材料檢測詳細分析

半導體材料檢測是對半導體材料的特性參數進行分析測試的技術。由于半導體材料種類繁多,加工工藝復雜,形態各異,技術難度高,這就需要我們通過對半導體材料的特性參數進行測定

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不得不看,半導體材料檢測詳細分析綜述

隨著以美國為首的西方勢力對中國半導體材料的技術制約。半導體材料行業開始發揚國產國造,自力更生的“南泥灣精神”,朝著精細化、高端化、尖端化自給自足的方向發展。半導體材料檢測是對半導體材料的特性參數進行分析測試的技術。由于半導體材料種類繁多,加工工藝復雜,形態各異,技術難度高,這就需要我們通過對半導體材料的特性參數進行測定,真實的反映半導體材料質量情況,掌握其關鍵參數的生成工藝,從而指導研發技術的更新迭代。

半導體材料檢測

 

一、常見半導體材料檢測種類

1、濕電子化學品檢測種類

(1)酸堿類:高純鹽酸、高純硫酸、高純硝酸、高純氫氟酸、高純冰Z酸、高純草酸、電子級復水、電子級過氧化氫、氫氧化鉀溶液、氫氧化鈉溶液、電子級磷酸;

(2)蝕刻類:鋁腐蝕液、鉻鷹蝕液、鎳銀腐蝕液、硅腐蝕液、金蝕刻液、銅蝕刻液、顯影液、剝離液、清洗液、ITO蝕刻液、緩釋劑、BOE;

(3)溶劑類:甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮、四甲基氫氧化銨、甲苯、二甲苯、三氯乙烯、環已烷、N-甲基吡略烷酮、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚醋酸酯等;

 

2、光刻膠及配套試劑檢測種類

光刻膠、負膠顯影液、負膠漂洗液、負膠顯影漂洗液、正膠顯影液正膠稀釋劑、邊膠清洗劑、負膠剝離液、正膠剝離液等;

 

3、電池材料檢測種類

(1)負極材料:碳材料、非碳負極材料、石墨負極材料、鋰電池負極材料、硅負極材料、鋰離子負極材料、硅碳負極材料、碳素負極材料、瀝青負極材料等;

(2)正極材料:鉆酸鋰、錳酸鋰、磷酸鐵鋰、三元材料、鎳,鈷,錳酸鋰、鎳錳酸鋰、正極材料鎳鈷錳酸鋰等;

(3)電解液:鋰離子電池用電解液、鋰原電池用電解液、六氟磷酸鋰、六氟磷酸鋰電解液等;

(4)電池/電解液添加劑:成膜添加劑、導電添加劑、阻燃添加劑、過充保護添加劑、改善低溫性能的添加劑、多功能添加劑等;

(5)電池隔膜:鋰電池隔膜、高性能電池隔膜、電池陶瓷隔膜等;

 

4、電子元器件化學品檢測種類

硝酸鉍、硫酸鋁、硝酸鋁、硝酸鉀、溴化鈣、重鉻酸銨、重絡化鉬、氯化鍶、三氯化梯、磷酸、硅酸鉀鈉、(硅鋁、硫酸鎂、硝酸銅、硝酬鍶、氟化氫銨、碳酸鋇、氧化銷、氟化鎂、銻酸鈉、氧化鎵、氧化銦等;

 

5、電子工業用氣體檢測種類

甲烷、三氯化硼、三氧化氮、六氟化硫、八氧環丁烷、六氟乙烷、四氟化碳、氯化氫、一氧化碳、笑氣、硅烷等;

 

6、印刷電子化學品檢測種類

印刷線路板材料及配套化學品、電子油墨、絲網印刷材料等;

 

7、電子膠類檢測種類

SMT貼片紅膠、LED貼片硅膠、UV膠、AB膠、填充膠、密封膠、導電銀膠、硅膠等;

 

8、電子級水檢測種類

超純水、純化水等;

 

9、其他電子材料檢測種類

CMP拋光材料、靶材、導電錄合物、液晶聚合物、聚酯薄膜、抗靜電材料、抗蝕劑、封裝材料、LED/OLED材料、發光材料、光學薄膜、平板膜、TFT-LCD面板及模組構成材料、電子紙、硅材料、太陽能電池膜等;

檢測分析

 

二、半導體材料檢測項目

半導體材料檢測的常見性能參數主要為電學性能、光學性能、限用物質等的檢測。電學性能主要檢測電阻率、霍爾系數、磁阻等性能;光學性能主要檢測器光電導、光吸收等性能。而半導體材料的關鍵性能檢測指標主要為禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的電子和空穴)、非平衡載流子壽命、位錯密度等。除此之外,我們還可以檢測其雜質含量、雜質缺陷能級等來了解材料的純度、補償度。通過X射線、金相分析來了解半導體材料晶體結構的層錯、位錯密度、夾雜和孿晶等情況。

半導體材料檢測設備

三、半導體材料檢測方法

  目前半導體材料檢測分析的重點逐漸轉向對半導體薄膜,特別是薄膜的表面、異質結界面性質研究和對薄膜材料的組甜和結構分析。新型測試分析方法如結電容技術,激光光譜技術,俄歇電子能譜、二次離子質譜和電子顯微分析技術等的建立與不斷完善,為深入研究雜質和缺陷在半導體材料中的行為、雜質與缺陷相互作用、表面、界面質量、混晶組份以及結梅缺陷等提供了有力手段,促進了半導體材料及物理學的發展。

檢測機構

 

所以,拜恩檢測總結:對于半導體原位檢測,其光學性能、電學性能以及結構參數,我們可以x射線法、雙晶衍射法、盧瑟福背散射和溝道技術、高分辨電鑲和斷面電子遺鏡顯微技術、帶間吸收光譜法、光致發光和光激發光譜法、子帶阿拉曼散射光譜法、磁光吸收和振蕩技術等加以鑒定。而對于大規模集成電路、超高頻晶體管制備,一般都是采用在線檢測技術,從而保證產品的成品率。而對于微米級、納米級尺寸的半導體材料,一般建議采用掃描光致發光系統或激光掃描形貌法來檢測。對于需要面對極低溫、強磁場、高壓極端試驗條件的半導體材料的雜質或缺陷檢測,我們推薦使用光熱離譜技術、管探測磁共振、電子-核子雙磁共振技術來測定。

 

 

 

 

 

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